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Plasma Enhanced CVD system (PECVD) Deposition of SiO2, Si3N4 and a-Si RF power: 0-400 W ICP power: 0-1300 W Temperatures: RT to 300°C Gases available: Ar, SiH4, NH3, N2, O2, NF3, N2O He for substrate heat transfer Maximum wafer size: 4"

OEM 모델 설명

Plasma Enhanced CVD system (PECVD)

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MICROSYSTEMS

MICROSYS 200

검증됨

카테고리

PECVD

마지막 검증일: 60일 이상 전

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조건:

Used

작동 상태:

알 수 없음

제품 ID:

97600

웨이퍼 사이즈:

4"/100mm

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