설명
PECVD RF Substrate: 13.56 MHz Pump Requirements: Blower Temperature Range (C): 200-350C Deposition Rate: >400 A/min Uniformity (Within Wafer): <+/-5% Uniformity (Wafer to Wafer): <+/-2.5%환경 설정
환경 설정 없음OEM 모델 설명
Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) reactor문서
문서 없음
UNAXIS
790
카테고리
PECVD
마지막 검증일: 2일 전
주요 품목 세부 정보
조건:
Used
작동 상태:
알 수 없음
제품 ID:
138844
웨이퍼 사이즈:
3"/75mm, 4"/100mm, 5"/125mm, 6"/150mm
빈티지:
2002
Logistics Support
Available
Transaction Insured by Moov
Available
Refurbishment Services
Available
설명
PECVD RF Substrate: 13.56 MHz Pump Requirements: Blower Temperature Range (C): 200-350C Deposition Rate: >400 A/min Uniformity (Within Wafer): <+/-5% Uniformity (Wafer to Wafer): <+/-2.5%환경 설정
환경 설정 없음OEM 모델 설명
Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) reactor문서
문서 없음